800V 구동 시스템용 SiC 인버터 열관리 설계 검토

차세대 800V 플랫폼은 SiC MOSFET 인버터를 적용하여 스위칭 손실을 줄이고 효율을 높이지만, 칩 면적이 작아 단위 면적당 발열 밀도가 높다.

현행 단면 냉각 구조에서는 연속 최대 출력 시 접합부 온도가 허용 한계에 근접하여 출력 제한(derating)이 발생한다.

양면 냉각 모듈과 핀-핀(pin-fin) 냉각판을 적용하면 열저항을 약 30% 낮출 수 있을 것으로 예상되며, 냉각수 압력 손실 증가분을 CFD 해석으로 검증한다.

열 사이클에 따른 솔더 접합부 피로 수명 저하를 막기 위해 은 소결(Ag sintering) 접합 적용도 함께 검토한다.